參數(shù)資料
型號： RMPA0951AT
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 衰減器
英文描述： 3V Cellular CDMA PowerEdge Power Amplifier Module
中文描述： 824 MHz - 849 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： 6 X 6 MM, 1.50 MM HEIGHT, LCC-7
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 555K
代理商： RMPA0951AT
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
RMPA0951AT Rev. D
R
Electrical Characteristics
3
Notes:
3:
All parameters to be met at Ta = +25°C, Vcc = +3.4V, Vref = 3.0V and load VSWR
4:
Load VSWR
≤
6:1 all phase angles.
5:
CDMA waveform measured using the ratio of the average power within the 1.23 MHz signal channel to the power within a 30 kHz resolution bandwidth,
at a 885 KHz offset, Pout = 28dBm, offset is ±885 KHz, ±1.98 MHz.
6:
No applied RF signal. Vcc = +3.4V nominal, Vref = +0.2V maximum.
7:
Guaranteed by design.
≤
1.2:1.
Parameter
Min
824
Typ
Max
849
Units
MHz
dB
dB
dBm
Frequency Range
Gain (Pout = +28dBm)
Gain (Pout = +31dBm)
Analog Output Power
Power-Added Efficiency
CDMA (Pout = +28dBm)
Analog (Pout = +31.5dBm)
ACPR1
ACPR2
Rx-Band Noise Power (All Power Levels)
Noise Figure
Input VSWR (50
)
Output VSWR (50
)
Stability (All spurious)
Harmonics (Po < 28dBm)
Quiescent Current
Power Shutdown Current
Vcc
Vref
Iref
30
29
31
32
44
35
50
-52
-58
-135
3
1.5:1
2.5:1
%
%
dBc
dBc
5
-46
-55
5
dBm/Hz
dB
—
—
dBc
dBc
mA
μA
V
V
mA
2.5:1
4,7
-60
-30
120
10
4.0
3.2
2fo, 3fo, 4fo
7
80
2
3.4
3.0
16
6
3.0
2.0
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PDF描述
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