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參數(shù)資料
| 型號： | RLF7030T-3R3M4R1 |
| 廠商： | National Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | PCB COPPER CLAD 18 X 18 2 SIDE |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)管同步降壓穩(wěn)壓控制器輸出電壓低 |
| 文件頁數(shù)： | 14/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 602K |
| 代理商： | RLF7030T-3R3M4R1 |
Example Circuits
(Continued)
This circuit design, detailed in the Design Considerations
section, uses inexpensive aluminum capacitors and off-the-
shelf inductors. It can deliver 10A at better than 85% effi-
ciency. Large bulk capacitance on input and output ensure
stable operation.
The example circuit of
Figure 4
has been designed for
minimum component count and overall solution size. A
switching frequency of 600kHz allows the use of small input/
output capacitors and a small inductor. The availability of
separate 5V and 12V supplies (such as those available from
desk-top computer supplies) and the low current further
reduce component count. Using the 12V supply to power the
MOSFET drivers eliminates the bootstrap diode, D1. At low
currents, smaller FETs or dual FETs are often the most
efficient solutions. Here, the Si4826DY, an asymmetric dual
FET in an SO-8 package, yields 92% efficiency at a load of
2A.
20049404
FIGURE 3. 5V to 1.2V, 10A, 300kHz
20049405
FIGURE 4. 5V to 1.8V, 3A, 600kHz
L
www.national.com
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PDF描述 |
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| RLD03N06CLE | 0.3A, 60V, 6 Ohm, ESD Rated, Current Limited, Voltage Clamped, Logic Level N-Channel Power MOSFETs(0.3A, 60V, 6Ω , ESD 額定,電流限制,電壓箝位,邏輯電平N溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
| RLD03N06CLESM | 0.3A, 60V, 6 Ohm, ESD Rated, Current Limited, Voltage Clamped, Logic Level N-Channel Power MOSFETs(0.3A, 60V, 6Ω , ESD 額定,電流限制,電壓箝位,邏輯電平N溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
| RLP03N06CLE | 0.3A, 60V, ESD Rated, Current Limited, Voltage Clamped Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| RLF7030T-3R3M4R1-PF | 制造商:TDK 功能描述:Inductor SMD RLF7030 3,3uH 4,1A |
| RLF7030T-3R3M4R1-T | 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 4.1A 20.88 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:RLF-T 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:4.1A 電流 - 飽和值:4.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:20.88 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.287" 長 x 0.268" 寬（7.30mm x 6.80mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.126"（3.20mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| RLF7030T-4R7M3R4 | 功能描述:固定電感器 4.7uH 3.4A RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| RLF7030T-4R7M3R4-PF | 制造商:TDK 功能描述:Inductor SMD RLF7030 4,7uH 3,4A |
| RLF7030T-4R7M3R4-T | 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 21.3 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:RLF-T 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:3.4A 電流 - 飽和值:3.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:21.3 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.287" 長 x 0.268" 寬（7.30mm x 6.80mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.126"（3.20mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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