參數(shù)資料
型號(hào)： QSZ3
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose transistor (isolated transistor and diode)
中文描述： 通用晶體管（孤立的晶體管和二極管）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： QSZ3
QSZ3
Transistors
z
Electrical characteristic curves
Tr1(PNP)
1000
125
C
3/4
Fig1. DC current gain vs. collector current
0.001
0.01
0.1
10
100
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
D
F
V
CE
2V
Pulsed
25
C
40
C
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
C
(
V
0.001
0.01
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
/I
B
=20/1
Pulsed
1
25
C
125
C
40
C
10
10
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
/I
B
=20/1
Pulsed
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
B
B
(
V
Fig.3 Base
emitter saturation voltage
vs.collector current
25
C
125
C
40
C
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V
)
Fig.4 Grounded emitter propagation
charactereistics
10
C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
I
C
/I
B
=20/1
Pulsed
25
C
125
C
40
C
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
T
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
Fig 6. Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base volatage
1000
100
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Cob
EB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
I
C
=
0A
f=1MHz
Ta=25
°
C
Cib
Tr2(NPN)
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
Fig.7 DC current gain
vs. collector current
VCE=
2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=40 C
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
C
S
C
(
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
IC/IB=20/1
V
CE
=2V
Pulsed
Ta=25 C
Ta=
45 C
Ta=100 C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
B
B
Fig.9 Base-emitter saturation voltage
vs.collector current
Ta=25 C
Pulsed
I
C
/I
B
=20/1
I
C
/I
B
=50/1
I
C
/I
B
=10/1
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