參數(shù)資料
型號(hào)： QSZ3
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose transistor (isolated transistor and diode)
中文描述： 通用晶體管（孤立的晶體管和二極管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： QSZ3
QSZ3
Transistors
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
500
3
1.25
W/Total
0.9
W/Element
°
C
°
C
1
Single pulse, Pw=1ms.
2
Each terminal mounted on a recommended land.
3
Mounted on a 25
×
25
×
t
0.8mm ceramic substrate.
Tr 2
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
500
3
1.25
W/Total
0.9
W/Element
°
C
°
C
1
Single pulse, Pw=1ms.
2
Each terminal mounted on a recommended land.
3
Mounted on a 25
25
0.8mm ceramic substrate.
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Tr1
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
BV
CBO
15
BV
CEO
12
BV
EBO
6
I
CBO
100
I
EBO
100
V
CE(sat)
120
250
h
FE
270
680
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulsed
Tr 2
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
BV
CBO
15
BV
CEO
12
BV
EBO
6
I
CBO
100
I
EBO
100
V
CE(sat)
120
250
h
FE
270
680
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulsed
2/4
Pc
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
3
6
150
55 to
+
150
2
3
1
Unit
V
V
V
A
A
mW/Total
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Pc
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
3
6
150
50 to
+
150
2
3
1
Unit
V
V
V
A
A
mW/Total
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
280
30
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
500mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
1.5A, I
B
=
30mA
V
CE
=
2V, I
C
=
500mA
Cob
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
360
30
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
500mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
=
1.5A, I
B
=
30mA
V
CE
=
2V, I
C
=
500mA
Cob
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QT-BNC RF Coaxial Connectors
QT0081411TUE Controller Miscellaneous - Datasheet Reference
QT0086202TME Controller Miscellaneous - Datasheet Reference
QT0086302TME Controller Miscellaneous - Datasheet Reference
QT110-D IC-QPROX SENSOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
QSZ3TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 12V 3A 5PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
QSZ4 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor (isolated transistor and diode)
QSZ4_1 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor (isolated transistor and diode)
QSZ4TR 功能描述:兩極晶體管 - BJT ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
QSZH-125-NR1-27MM 功能描述:HEAT SHRINK 4:1 .226"X27MM 制造商:te connectivity amp connectors 系列:QSZH-125 零件狀態(tài):有效 類型:套管，半剛性 收縮率:4 至 1 長度:0.088'（27.00mm，1.06"） 內(nèi)徑（出廠）:0.226"（5.75mm） 內(nèi)徑 - 恢復(fù)后:0.049"（1.2mm） 恢復(fù)后的壁厚:0.045"（1.14mm） 材料:聚烯烴（PO），輻射處理，無鹵素 特性:???? ? ????，?? ????，防水 顏色:黑 工作溫度:-40°C ~ 125°C 收縮溫度:110°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*