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參數(shù)資料
| 型號： | Q62702-C361-X1 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-C361-X1 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-G0041 | Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 9 dB typical gain at 1.0 GHz 9 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz 3 dB-bandwidth: DC to 2.4 GHz) |
| Q62702-G0042 | Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 11 dB typical gain at 1.0 GHz 9 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz) |
| Q62702-G0043 | Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 16 dB typical gain at 1.0 GHz 12 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz) |
| Q62702-G0057 | Si-MMIC-Amplifierin SIEGET 25-Technologie (Cascadable 50 ヘ-gain block Unconditionally stable) |
| Q62702-G0058 | Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie (Multifunctional casc. 50 ヘ block LNA / MIX Unconditionally stable) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q62702-C452 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
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| Q62702-C620 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation voltage) |
| Q62702-C621 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation voltage) |
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