參數(shù)資料
型號(hào)： PZT751T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(硅PNP平面外延晶體管)
中文描述： 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
封裝： CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： PZT751T1
PZT751T1
http://onsemi.com
4
Figure 5. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.05
1.0
0
NPN
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
50
100 200 500
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 mA I
C
= 100 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 2.0 A
10
4.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.02
0.01
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
100 s
1.0 ms
T
A
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C
MPS75
M0
1
WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
0.05
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
PNP
I
B
, BASE CURRENT (mA)
PNP
Figure 6. Collector Saturation Region
V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 2.0 A
0.05
1.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50 100200 500
10
4.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
I
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Safe Operating Area
T
A
= 25
°
C
1.0 ms
T
C
= 25
°
C
100 s
MPS65
0
MPS65
1
WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
Figure 8. Safe Operating Area
NPN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZT751T1G PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT751T1 SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZTA42T1 High Voltage Transistor Surface Mount NPN Silicon(NPN型,表面安裝，高壓晶體管)
PZTA42T1 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT00; Number of Contacts:12; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:14-12
PZTA42 Circular Connector; No. of Contacts:12; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:14; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:14-12
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參數(shù)描述
PZT751T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT751T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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