參數(shù)資料
型號： PZ1418B30U
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistors
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, MEATL CERAMIC, FM-2
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大小： 131K
代理商： PZ1418B30U
1997 Feb 19
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
PZ1418B30U; PZ1721B25U;
PZ2024B20U
Fig.16 Input impedance as a function of frequency; typical values for PZ2024B20U.
Z
o
= 5
.
handbook, full pagewidth
MGL028
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
5
∞
0
0.2
0.5
1
2
5
10
+
j
j
2 GHz
2.2
2.4
5
10
10
Fig.17 Optimum load impedance as a function of frequency; typical values for PZ2024B20U.
Z
o
= 5
.
handbook, full pagewidth
MGL029
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
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∞
0
0.2
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+
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j
2.4
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2 GHz
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZ1721B25U NPN microwave power transistors
PZ2327B15U TRANSISTOR | BJT | NPN | 2.1A I(C) | FO-57D
PZFJ108 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 80MA I(DSS) | SOT-223
PZFJ109 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 40MA I(DSS) | SOT-223
PZFJ110 RF inductor, ceramic core, 5% tol, SMT, RoHS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PZ1418B30U,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN 4A 45W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZ15CHEWS 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
PZ15CHEWS_A0_00001 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
PZ15CHEWS_A0_10001 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
PZ15CHEWS_A1_00001 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
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