參數(shù)資料
型號(hào)： PTB20171
廠商： ERICSSON
英文描述： 25 Watts, 935-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
中文描述： 25瓦，935-960兆赫蜂窩無(wú)線電射頻功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 43K
代理商： PTB20171
e
1
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
5
Input Power (Watts)
O
V
CC
= 24 V
I
CQ
= 150 mA
f = 960 MHz
Typical Output Power vs. Input Power
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Voltage
V
CER
50
Vdc
Collector-Base Voltage
V
CBO
50
Vdc
Emitter-Base Voltage (collector open)
V
EBO
4.0
Vdc
Collector Current (continuous)
I
C
5.0
Adc
Total Device Dissipation at Tflange = 25°C
Above 25°C derate by
P
D
145
0.833
Watts
W/°C
Storage Temperature Range
T
STG
–40 to +150
°C
Thermal Resistance (Tflange = 70°C)
R
θ
JC
1.2
°C/W
PTB 20171
25 Watts, 935–960 MHz
Cellular Radio RF Power Transistor
Description
The 20171 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor
intended for 24 Vdc operation from 935 to 960 MHz. Rated at 25
watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP
applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold
metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot
traceability is standard.
Package 20200
20171
LOT CODE
25 Watts, 935–960 MHz
Class AB Characteristics
Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
9/28/98
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PTB20177 150 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20179 0.4 Watt, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
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參數(shù)描述
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