參數(shù)資料
型號(hào)： PTB20147
廠商： ERICSSON
英文描述： 2.5 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
中文描述： 2.5瓦，1.8-2.0千兆赫蜂窩無(wú)線射頻功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 385K
代理商： PTB20147
e
1
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Voltage
V
CER
50
Vdc
Collector-Base Voltage
V
CBO
50
Vdc
Emitter-Base Voltage (collector open)
V
EBO
4.0
Vdc
Collector Current (continuous)
I
C
1.0
Adc
Total Device Dissipation at Tflange = 25°C
Above 25°C derate by
P
D
10
Watts
W/°C
0.057
Storage Temperature Range
T
STG
–40 to +150
°C
Thermal Resistance (Tflange = 70°C)
R
θ
JC
17.5
°C/W
0
1
2
3
4
5
6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Input Power (Watts)
O
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 40 mA
f = 2.0 GHz
Typical Output Power vs. Input Power
PTB 20147
2.5 Watts, 1.8–2.0 GHz
Cellular Radio RF Power Transistor
Description
The 20147 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor
intended for 26 Vdc operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 2.5 watts
minimum output power, it may be used for both CW and PEP
applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold
metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot
traceability is standard.
2.5 Watts, 1.8–2.0 GHz
Class AB Characteristics
35% Collector Efficiency at 4 Watts
Tested to solderability standards:
- IEC-68-2-54
- ANSI/J Std-002-A
Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Surface Mountable
Available in Tape and Reel
Package 20208
20147
LOTCODE
9/28/98
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTB20148 60 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20151 45 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
PTB20155 9 Watts, 610-960 MHz UHF Power Transistor
PTB20156 8 Watts, 1350-1850 MHz Microwave Power Transistor
PTB20157 20 Watts, 1.35-1.85 GHz RF Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTB20148 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTB20149 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTB20151 制造商:ERICSSON 制造商全稱(chēng):Ericsson 功能描述:45 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
PTB20155 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTB20156 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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