參數(shù)資料
型號(hào)： PTB20105
廠商： ERICSSON
英文描述： 20 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
中文描述： 20瓦，925-960兆赫蜂窩無(wú)線電射頻功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： PTB20105
PTB 20105
2
e
Z Source
Z Load
Electrical Characteristics
(100% Tested)
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Breakdown Voltage C to E
I
B
= 0 A, I
C
= 100 mA
V
(BR)CEO
25
30
—
Volts
Breakdown Voltage C to E
V
BE
= 0 V, I
C
= 100 mA
V
(BR)CES
55
70
—
Volts
Breakdown Voltage E to B
I
C
= 0 A, I
E
= 5 mA
V
(BR)EBO
3.5
5.0
—
Volts
DC Current Gain
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 A
h
FE
20
50
120
—
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Gain
(V
CC
= 25 Vdc, Pout = 20 W, I
CQ
= 100 mA, f = 960 MHz)
Collector Efficiency
(V
CC
= 25 Vdc, Pout = 20 W, I
CQ
= 100 mA, f = 960 MHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
CC
= 25 Vdc, Pout = 20 W, I
CQ
= 100 mA,
f = 960 MHz—all phase angles at frequency of test)
G
pe
9
10
—
dB
η
C
50
—
—
%
Ψ
—
—
30:1
—
Impedance Data
(data shown for fixed-tuned broadband circuit)
(V
CC
= 25 Vdc, Pout = 20 W, I
CQ
= 100 mA)
Frequency
Z Source
Z Load
MHz
R
jX
R
jX
925
3.1
-1.8
3.1
1.4
942
3.0
-1.5
2.9
1.4
960
2.9
-1.2
2.7
1.4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTB20111 85 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20125 100 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
PTB20134 30 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20141 18 Watts, 1.465-1.513 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20144 6 Watts, 915-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTB20111 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTB20125 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:100 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
PTB20127 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTB20134 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTB20135 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:85 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
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