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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PTB20077 |
| 廠商： | ERICSSON |
| 英文描述： | 0.7 Watts, 1525-1660 MHz INMARSAT RF Power Transistor |
| 中文描述： | 0.7瓦，1625至60年國際海事衛(wèi)星組織兆赫射頻功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | PTB20077 |
PTB 20077
2
e
0
1300 1350 1400 1450 1500 1550 1600 1650 1700
2
4
6
8
10
12
14
Frequency (MHz)
5
10
15
20
25
30
35
40
E
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 120 mA
Typical P
OUT
, Gain & Efficiency
(at P-1dB)
vs. Frequency
Gain (dB)
Output Power (W)
Efficiency (%)
G
Electrical Characteristics
(100% Tested)
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Breakdown Voltage C to E
V
BE
= 0 V, I
C
= 5 mA
V(
BR)CES
60
—
—
Volts
Breakdown Voltage C to E
I
B
= 0 A, I
C
= 10 mA, R
BE
= 22
V(
BR)CER
60
—
—
Volts
Breakdown Voltage E to B
I
C
= 0 A, I
E
= 5 mA
V(
BR)EBO
4.0
5
—
Volts
DC Current Gain
V
CE
= 5 V, I
C
= 250 mA
h
FE
20
40
—
—
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Gain
(V
CC
= 25 Vdc, Pout = 0.2 W, I
CQ
= 120 mA,
f = 1.525; 1.66 GHz)
G
pe
10
12
—
dB
Power Output at 1 dB Compression
(V
CC
= 25 Vdc, I
CQ
= 120 mA,
f = 1.525; 1.66 GHz)
P-1dB
0.7
0.9
—
Watts
Load Mismatch Tolerance
(V
CC
= 25 Vdc, Pout = 0.7 W, I
CQ
= 120 mA,
f = 1.66 GHz—all phase angles at frequency of test)
Ψ
—
—
5:1
—
Typical Performance
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0.0
0.2
Output Power (Watts-PEP)
0.4
0.6
0.8
1.0
I
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 120 mA
f
1
= 1559.9 MHz
f
2
= 1666.0 MHz
Intermodulation Distortion vs. Output Power
IM3
IM7
IM5
4/29/98
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTB20078 | 2.5 Watts, 1525-1660 MHz INMARSAT RF Power Transistor |
| PTB20079 | 10 Watts, 1.6-1.7 GHz INMARSAT RF Power Transistor |
| PTB20080 | 25 Watts, 1.6-1.7 GHz RF Power Transistor |
| PTB20081 | 150 Watts, 470-860 MHz UHF TV Power Transistor |
| PTB20082 | 15 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTB20078 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB20079 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:10 Watts, 1.6-1.7 GHz INMARSAT RF Power Transistor |
| PTB20080 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:25 Watts, 1.6-1.7 GHz RF Power Transistor |
| PTB20081 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB20082 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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