參數(shù)資料
型號： PSMN038
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 8/13頁
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代理商： PSMN038
Philips Semiconductors
PSMN038-100K
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 16 January 2001
8 of 13
9397 750 07897
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 13. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 6.3 A; V
DD
= 20 V, 50 V and 80 V
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ae02
0
10
20
30
40
50
0
0.4
0.8
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25 oC
150 oC
V
GS
= 0 V
03ae04
0
2
4
6
8
10
V
GS
(V)
0
15
30
45
Q
G
(nC)
I
D
= 6.3 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 20 V 50 V 80 V
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