參數(shù)資料
型號： PSMN038
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大小： 271K
代理商： PSMN038
Philips Semiconductors
PSMN038-100K
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 16 January 2001
10 of 13
9397 750 07897
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
10. Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20010116
Description
Product specification; initial version
-
相關PDF資料
PDF描述
PSMN040-200W N-channel TrenchMOS transistor
PSMS05 STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
PSMS05C STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
PSMS12 STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
PSMS12C STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PSMN038-100K 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
PSMN038-100K /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN038-100K,518 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN038-100YLX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PSMN038-100YL/LFPAK/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 100V 6.3A SO8
PSMN039-100YS 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH100V28.1ALFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,100V,28.1A,LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,100V,28.1A,LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28.1A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):30.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:4 ;RoHS Compliant: Yes
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*