參數(shù)資料
型號: PSD813F4
英文描述: Flash In System Programmable Mirocomputer Peripherals(閃速,在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件,1M位閃速存儲器,256K位EEPROM,16K位SRAM)
中文描述: Flash在系統(tǒng)可編程Mirocomputer外設(shè)(閃速,在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件,100萬位閃速存儲器,256K位的EEPROM,16K的位的SRAM)
文件頁數(shù): 99/130頁
文件大?。?/td> 650K
代理商: PSD813F4
Preliminary
PSD813F Family
95
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CC
V
IH
V
IL
V
IH1
V
IL1
V
HYS
V
LKO
Supply Voltage
All Speeds
2.7
3.6
V
High Level Input Voltage
2.7 V < V
CC
< 3.6 V
2.7 V < V
CC
< 3.6 V
(Note 1)
.7 V
CC
–.5
V
CC
+.5
0.8
V
Low Level Input Voltage
V
Reset High Level Input Voltage
.8 V
CC
–.5
V
CC
+.5
.2 V
CC
–.1
V
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
V
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
V
CC
Min for Flash Erase and Program
1.9
2.2
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 20 μA, V
CC
= 2.7 V
0.01
0.1
V
I
OL
= 4 mA, V
CC
= 2.7 V
I
OH
= –20 μA, V
CC
= 2.7 V
0.15
0.45
V
V
OH
Output High Voltage Except V
STBY
On
2.6
2.69
V
I
OH
= –1 mA, V
CC
= 2.7 V
I
OH1
= 1 μA
2.3
2.4
V
V
OH1
V
SBY
I
SBY
I
IDLE
V
DF
Output High Voltage V
STBY
On
SRAM Standby Voltage
V
SBY
– 0.8
V
CC
1
V
2.0
V
SRAM Standby Current
V
CC
= 0 V
V
CC
> V
SBY
Only on V
STBY
0.5
μA
Idle Current (V
STBY
Pin)
SRAM Data Retention Voltage
–0.1
0.1
μA
2
V
I
SB
Standby Supply Current
for Power Down Mode
CSI >V
CC
–0.3 V (Note 2)
25
100
μA
I
LI
I
LO
Input Leakage Current
V
SS
< V
IN
< V
CC
0.45 < V
IN
> V
CC
–1
±.1
1
μA
Output Leakage Current
–10
±5
10
μA
ZPLD_TURBO = OFF,
f = 0 MHz (Note 3)
0
mA
ZPLD Only
ZPLD_TURBO = ON,
f = 0 MHz
I
CC
(DC)
(Note 3)
Operating
Supply Current
200
400
μA/PT
During FLASH or
EEPROM Write/Erase Only
FLASH or EEPROM
10
25
mA
Read Only, f = 0 MHz
0
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
0
mA
ZPLD AC Adder
Figure 34a
I
CC
(AC)
(Note 3)
FLASH or
EEPROM
AC Adder
2
2.5
mA/MHz
SRAM AC Adder
0.8
1.5
mA/MHz
ZPSD813FV DC Characteristics
(2.7 V to 3.6 V Versions)
NOTES:
1.
Reset input has hysteresis. V
IL1
is valid at or below .2V
CC
–.1. V
IH1
is valid at or above .8V
CC
.
CSI deselected or internal PD is active.
I
OUT
= 0 mA
2.
3.
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PDF描述
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