晶體管 MOSFET IRFB4310Z 代理直銷

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:127 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.8 mOhmsVgs - 

柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:120 nC

配置:SingleP

d-功率耗散:250 W

高度:15.65 mm 

長(zhǎng)度:10 mm 

晶體管類型:1 N-Channel 

寬度:4.4 mm 

商標(biāo):Infineon Technologies 

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:1000 

子類別:MOSFETs

零件號(hào)別名:SP001570588

單位重量:6 g

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（英語(yǔ)：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場(chǎng)效晶體管（PMOSFET）。以金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）的命名來(lái)看，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個(gè)字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場(chǎng)效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的金氧半場(chǎng)效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。金氧半場(chǎng)效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質(zhì)，而非金氧半場(chǎng)效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管組件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場(chǎng)效晶體管。金氧半場(chǎng)效晶體管里的氧化層位于其溝道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃（?）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過(guò)有些新的高級(jí)制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。今日半導(dǎo)體組件的材料通常以硅為首選，但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程，當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺的混合物所發(fā)展的硅鍺制程（SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs），因?yàn)闊o(wú)法在表面長(zhǎng)出品質(zhì)夠好的氧化層，所以無(wú)法用來(lái)制造金氧半場(chǎng)效晶體管組件。當(dāng)一個(gè)夠大的電位差施于金氧半場(chǎng)效晶體管的柵極與源極之間時(shí)，電場(chǎng)會(huì)在氧化層下方的半導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電荷，而這時(shí)就會(huì)形成所謂的“反轉(zhuǎn)溝道”（inversion channel）。溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n型，那么溝道也會(huì)是n型。溝道形成后，金氧半場(chǎng)效晶體管即可讓電流通過(guò)，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場(chǎng)效晶體管的溝道流過(guò)的電流大小亦會(huì)受其控制而改變。