IR
IRFB4110PBF
直插
點(diǎn)接觸型
TO-220-3
塑料封裝
大功率
180
100
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制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:180 ARds
On-漏源導(dǎo)通電阻:3.7 mOhmsV
gs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:150 nC
配置:SingleP
d-功率耗散:370 W
高度:15.65 mm
長(zhǎng)度:10 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.4 mm
商標(biāo):Infineon / IR
產(chǎn)品類型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
零件號(hào)別名:SP001570598
單位重量:6 g
基本信息
中文名稱 金屬-氧化層 半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管
外文名稱 MOSFET
核心 金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容
發(fā)明時(shí)間 1960年
發(fā)明人 D. Kahng和 Martin Atalla
發(fā)明機(jī)構(gòu) 貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Lab.)
電話:0755-82709309/13715139366
聯(lián)系人:吳先生 (先生)
QQ:
郵箱:3334936262@qq.com
地址:福田區(qū)華強(qiáng)北路兒童世界101棟西座5樓508房
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