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參數(shù)資料
| 型號： | PNZ150 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | Silicon planar type For optical control systems |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC, LSTLR102-003, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | PNZ150 |
2
PNZ150
SHE00018BED
120
100
80
60
40
20
0
20
0
20
40
60
80
100
0
40
80
120
40
10
2
10
1
10
1
10
3
10
2
10
1
40
0
40
80
120
V
CE
=
10 V
T
=
2
856 K
20
16
12
8
4
8
4
16
12
24
20
00
10
2
10
1
10
Illuminance L (lx)
10
4
10
2
10
3
10
3
10
2
10
1
1
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
T
=
2
856 K
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
100
80
60
40
20
20
0
400
600
800
1
000
1
200
0
10
4
10
3
10
2
10
1
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
10
1
10
2
10
1
1
T
a
=
25
°
C
T
=
2
856 K
V
CC
=
10 V
T
a
=
25
°
C
V
CC
=
10 V
T
a
=
25
°
C
V
CE
=
10 V
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
P
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
P
C
D
C
μ
A
Ambient temperature T
a
(
°
C)
P
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
R
S
Wavelength
λ
(nm)
Photocurrent I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
Photocurrent I
CE(L)
(mA)
20
°
30
°
40
°
50
°
60
°
70
°
80
°
90
°
R
r
μ
s
20
100
80
60
40
R
S
250 lx
750 lx
500 lx
L
=
2
000 lx
1
000 lx
1
500 lx
1
750 lx
1
250 lx
100 lx
500 lx
L
=
1
000 lx
R
L
=
1 k
500
100
R
L
=
1 k
500
100
P
C
T
a
I
CE(L)
V
CE
I
CE(L)
L
I
CE(L)
T
a
I
CEO
T
a
Spectral sensitivity characteristics
Directivity characteristics
t
r
I
CE(L)
t
f
I
CE(L)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PNZ154 | Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ163NC | Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ263L | Darlington Phototransistor |
| PNZ3108 | KPSE02A12-10PN |
| PNZ3112 | PIN Photodiode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PNZ150(PN150) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNZ150 (PN150) - Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ150L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ150L(PN150L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNZ150L (PN150L) - Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ154 | 功能描述:NPN PHOTO TRANSISTOR RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向 |
| PNZ154(PN154) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNZ154 (PN154) - Silicon NPN Phototransistor |
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