參數(shù)資料
型號(hào)： PNZ106
廠(chǎng)商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 光敏三極管
英文描述： Silicon NPN Phototransistor
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： PNZ106
2
Phototransistors
PNZ106
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
P
C
— Ta
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
I
CE(L)
— V
CE
8
6
4
2
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Ta = 25C
20
16
8
12
4
24
I
CE(L)
— L
10
2
10
1
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–2
10
–1
1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
I
CEO
— Ta
10
3
1
10
2
10
–1
10
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
10
–2
– 20
0
40
80
20
60
100
V
= 10V
T = 100 lx
I
CE(L)
— Ta
10
10
–1
1
Ambient temperature Ta (C )
C
C
– 40
0
40
80
120
10
–2
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
V
= 10V
Ta = 25C
t
r
— I
CE(L)
10
3
10
2
10
1
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
1
10
10
2
10
–1
10
–1
V
= 10V
Ta = 25C
t
f
— I
CE(L)
10
3
10
2
10
1
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
1
10
10
2
10
–1
10
–1
V
= 10V
Ta = 25C
90
100
80
70
60
50
40
30
R
50 lx
300 lx
100 lx
500 lx
700 lx
L = 1000 lx
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
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