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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PNZ107 |
| 廠(chǎng)商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistors |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | MTGLR102-001, TO-18, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 317K |
| 代理商： | PNZ107 |
1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
V
CEO
V
CBO*
V
ECO
V
EBO*
I
C
P
C
T
opr
T
stg
Ratings
20
30
3
5
30
150
–25 to +85
–30 to +100
Unit
V
V
V
V
mA
mW
C
C
Collector to emitter voltage
Collector to base voltage
Emitter to collector voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
PNZ108 only
Features
High sensitivity : I
CE(L)
= 5 mA (min.) (at L = 100 lx)
Narrow directional sensitivity for effective use of light input
Fast response : t
r
= 5
μ
s (typ.)
Signal mixing capability using base pin (PNZ0108)
TO-18 standard type package
PNZ107, PNZ108
(PN107, PN108)
Silicon NPN Phototransistors
For optical control systems
Phototransistors
Glass lens
6
1: Emitter
2: Collector
Unit : mm
10
02
10
015
4.6
0.15
2.54
0.25
5.75 max.
2-
0.45
0.05
1
4
1
2
Glass lens
6
1: Emitter
2: Base
3: Collector
Unit : mm
10
02
10
015
4.6
0.15
2.54
0.25
5.75 max.
3-
0.45
0.05
1
4
1
2
3
PNZ107
PNZ108
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PNZ108CL | Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ109CL | Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ109F | Silicon NPN Phototransistor |
| PN109F | Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ109L | Silicon NPN Phototransistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PNZ107F(PN107F) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Opto-Electronic Device - Photo Detectors - Phototransistors |
| PNZ107F/PNZ108F(PN107F/PN108F) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:PNZ107F. PNZ108F (PN107F. PN108F) - Silicon NPN Phototransistors |
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