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參數(shù)資料
| 型號： | PNZ102 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | Silicon planar type |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | MTGLR103-001, TO-18, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | PNZ102 |
2
PNZ102
SHE00005BED
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
CE(L)
V
CE
I
CE(L)
L
I
CEO
T
a
I
CE(L)
T
a
Spectral sensitivity characteristics
Directivity characteristics
t
r
I
CE(L)
200
160
120
80
40
0
20
0
20
40
60
80
100
10
2
10
1
10
1
10
3
10
2
10
2
1
10
10
3
10
2
10
1
10
1
40
0
40
80
120
V
CE
=
10 V
T
a
=
25C
T
=
2 856 K
V
CE
=
10 V
20
16
12
8
4
10
30
20
00
20
16
12
8
4
10
30
20
01
T
a
=
25
°
C
T
a
=
25
°
C
T
=
2
856 K
V
CE
=
10 V
T
=
2
856 K
10
2
10
40
0
40
80
120
1
100
80
60
40
20
0
20
0
800
400
600
1
200
1
000
100
80
60
40
20
10
10
30
030
T
a
=
25
°
C
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
10
1
V
CC
=
10 V
T
a
=
25
°
C
P
C
=
150 mW
I
B
=
5
μ
A
10
μ
A
15
μ
A
20
μ
A
25
μ
A
30
μ
A
P
C
=
150 mW
L
=
50 lx
100 lx
150 lx
200 lx
300 lx
400 lx
500 lx
1
000 lx
L
=
500 lx
200 lx
100 lx
R
L
=
1 k
500
100
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
P
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
P
C
Illuminance L (lx)
D
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
P
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
R
S
Wavelength
λ
(nm)
R
S
Half-power angle
θ
(
°
)
R
r
μ
s
Photocurrent I
CE(L)
(mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PNZ106 | Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ107F | Silicon NPN Phototransistors |
| PNZ108F | Silicon NPN Phototransistors |
| PNZ108 | Silicon NPN Phototransistors |
| PN107 | Silicon NPN Phototransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PNZ102(PN102) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNZ102 (PN102) - Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ102F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Phototransistors |
| PNZ106 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ106(PN106) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNZ106 (PN106) - Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ107 | 功能描述:PHOTO TRANS 900NM 10 DEG TO-18 RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向 |
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