參數(shù)資料
型號(hào)： PN4355
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器)
中文描述： 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： PN4355
P
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
60
60
10
800
V
V
V
mA
°
C
T
J
, T
stg
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
-55 to +150
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for use as a general purpose amplifier
and switch requiring collector currents to 500 mA. Sourced
from Process 67. See TN4033A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
PN4355
CBE
TO-92
MMBT4355
C
B
E
SOT-23
Mark: 81
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN4355
625
5.0
83.3
200
*MMBT4355
350
2.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
357
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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PDF描述
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PN4355_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN4355_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN4355_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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