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參數(shù)資料
| 型號： | PN300F |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | Silicon PIN Photodiodes |
| 中文描述： | PIN PHOTO DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MTGFR102-001, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | PN300F |
2
PNZ300F, PNZ300F
SHE00030BED
P
D
T
a
I
L
L
I
D
V
R
I
L
V
R
C
t
V
R
I
L
T
a
I
D
T
a
Spectral sensitivity characteristics
Directivity characteristics
120
100
80
60
40
20
0
20
0
20
40
60
80
100
P
D
Ambient temperature T
a
(
°
C)
V
R
=
10 V
T
a
=
25
°
C
T
=
2
856 K
10
3
10
2
10
1
10
1
10
Illuminance L (lx)
10
3
10
4
10
2
10
2
1
P
L
μ
A
PNZ300F
PNZ300
10
2
10
1
10
1
1
10
2
10
2
10
1
10
T
a
=
25
°
C
D
D
Reverse voltage V
R
(V)
50
40
30
20
30
50
40
20
0
10
0
10
Reverse voltage V
R
(V)
V
R
=
10 V, T
a
=
25
°
C, T
=
2
856 K
P
L
μ
A
PNZ300
L
=
1
000 lx
L
=
500 lx
PNZ300F
L
=
100 lx
PNZ300F
PNZ300
PNZ300
PNZ300F
10
3
10
2
10
1
10
1
10
1
1
10
10
2
T
t
Reverse voltage V
R
(V)
T
a
=
25
°
C
100
80
60
40
20
V
R
=
10 V
40
0
40
80
0
PNZ300
P
L
μ
A
Ambient temperature T
a
(
°
C)
10
3
10
2
10
1
10
2
10
1
10
3
V
R
=
10 V
40
0
40
80
D
D
Ambient temperature T
a
(
°
C)
100
60
80
40
20
400
600
800
1
000
1
200
0
200
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
R
S
Wavelength
λ
(nm)
100
80
60
40
20
0
40
40
0
80
80
P0
P
R
S
Half-power angle
θ
(
°
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PNZ102F | Silicon NPN Phototransistors |
| PNA1401LF | Silicon NPN Phototransistors |
| PNZ102 | Silicon planar type |
| PNZ106 | Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ107F | Silicon NPN Phototransistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PN303 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:PIN Photodiode For optical control systems |
| PN3035 | 制造商:APITECH 制造商全稱:APITECH 功能描述:RF AMPLIFIER MODEL |
| PN304V | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SI PIN QUAD PHOTODIODE |
| PN3053 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| PN307 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type For optical control systems |
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