參數(shù)資料
型號(hào)： PMWD19UN
英文描述： Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： 雙uTrenchMOS（TM）超低水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大小： 244K
代理商： PMWD19UN
PMWD19UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Rev. 01 — 20 December 2002
Product data
M3D647
1.
Product profile
1.1 Description
Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PMWD19UN in SOT530-1 (TSSOP8).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Surface mounting package
I
Very low threshold
I
Low profile
I
Fast switching.
I
Portable appliances
I
Battery management
I
PCMCIA cards
I
Load switching.
I
V
DS
≤
30 V
I
P
tot
≤
2.3 W
I
I
D
≤
5.6 A
I
R
DSon
≤
23 m
.
Table 1:
Pin
1
2,3
4
5
6,7
8
Pinning - SOT530-1, simplified outline and symbol
Description
drain1 (d1)
source1 (s1)
gate1 (g1)
gate2 (g2)
source2 (s2)
drain2 (d2)
Simplified outline
Symbol
SOT530-1
MBK885
Top view
1
4
8
5
s1
d1
g1
s2
MSD901
d2
g2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMWD22XN Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMWD19UN /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD19UN,518 功能描述:MOSFET PMWD19UN/TSSOP8/REEL13DP// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD19UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
PMWD20XN 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET
PMWD20XN,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*