參數(shù)資料
型號(hào)： PMEM4010PD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP transistor/Schottky diode module
中文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-74, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： PMEM4010PD
2002 Oct 28
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP transistor/Schottky diode module
PMEM4010PD
handbook, halfpage
0
10
1
200
400
600
800
1000
MHC088
10
1
IC (mA)
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
PNP transistor;
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
1
10
1
MHC089
10
1
1
10
VBE
(V)
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
PNP transistor;
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
MHC090
1
10
VCEsat
(mV)
IC (mA)
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
PNP transistor;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
10
1
10
1
2
MHC091
10
1
1
10
RCEsat
(
)
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
PNP transistor;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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PMEM4010PD,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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