參數(shù)資料
型號： PMEM4010PD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP transistor/Schottky diode module
中文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 76K
代理商： PMEM4010PD
2002 Oct 28
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP transistor/Schottky diode module
PMEM4010PD
FEATURES
600 mW total power dissipation
High current capability
Reduces required PCB area
Reduced pick and place costs
Small plastic SMD package.
Transistor:
Low collector-emitter saturation voltage.
Diode:
Ultra high-speed switching
Very low forward voltage
Guard ring protected.
APPLICATIONS
DC/DC convertors
Inductive load drivers
General purpose load drivers
Reverse polarity protection circuits.
DESCRIPTION
Combination of a PNP transistor with low V
CEsat
and high
current capability and a planar Schottky barrier diode with
an integrated guard ring for stress protection in a SOT457
(SC-74) small plastic package.
NPN complement: PMEM4010ND.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
emitter
not connected
cathode
anode
base
collector
handbook, halfpage
MGU868
1
3
2
4
5
6
1
3
6
4
5
Fig.1 Simplified outline (SOT457) and symbol.
Marking code:
B2.
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參數(shù)描述
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