參數(shù)資料
型號(hào)： PMEM4010PD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP transistor/Schottky diode module
中文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-74, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 76K
代理商： PMEM4010PD
2002 Oct 28
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP transistor/Schottky diode module
PMEM4010PD
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NPN transistor
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
=
40 V; I
E
= 0
V
CB
=
40 V; I
E
= 0;
T
amb
= 150
°
C
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
100 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
500 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 A
I
C
=
100 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
100 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA;
note 1
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 A
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz
100
50
nA
μ
A
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
300
300
250
160
300
100
100
800
140
170
310
1.1
<340
nA
nA
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
mV
V
m
V
BEsat
R
CEsat
base-emitter saturation voltage
equivalent on-resistance
V
BEon
f
T
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
150
1
V
MHz
Schottky barrier diode
V
F
continuous forward voltage
I
F
= 10 mA; note 1
I
F
= 100 mA; note 1
I
F
= 1000 mA; see Fig.7; note 1
V
R
= 5 V; note 1
V
R
= 8 V; note 1
V
R
= 15 V; see Fig.8; note 1
V
R
= 5 V; f = 1 MHz; see Fig.9
240
300
480
5
7
10
19
270
350
550
10
20
50
25
mV
mV
mV
μ
A
μ
A
μ
A
pF
I
R
reverse current
C
d
diode capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMEM4020ND NPN transistor/Schottky-diode module
PMEM4020PD PNP transistor/Schottky-diode module
PMEPGZ3230USERGUIDE PMEPGZ3230 User Guide
PMEPGUSERGUIDE PM EPG User Guide
PMF202 Low Power RS485 Interface Transceiver; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0&deg;C to +70&deg;C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMEM4010PD T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMEM4010PD,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMEM4020AND 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-457
PMEM4020AND T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMEM4020AND,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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