參數(shù)資料
型號： PMEG2015EV
英文描述： Low VF MEGA Schottky barrier diode
中文描述： 低VF MEGA肖特基勢壘二極管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： PMEG2015EV
2003 Jun 03
4
Philips Semiconductors
Product specification
Low V
F
MEGA Schottky barrier diode
PMEG2015EV
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpage
(mA)
10
3
0.6
0.4
0.2
0
VF (V)
4
10
2
10
1
10
1
MLE111
(1)
(3)
(2)
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
(1) T
amb
= 125
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
10
4
25
0
5
10
15
20
VR (V)
5
10
3
10
2
10
1
MHC312
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
(1) T
amb
= 125
°
C.
(2) T
amb
= 85
°
C.
(3) T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0
5
10
20
60
20
0
40
15
VR (V)
MHC313
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C.
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