參數(shù)資料
型號(hào)： PMEG2015EV
英文描述： Low VF MEGA Schottky barrier diode
中文描述： 低VF MEGA肖特基勢壘二極管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： PMEG2015EV
2003 Jun 03
2
Philips Semiconductors
Product specification
Low V
F
MEGA Schottky barrier diode
PMEG2015EV
FEATURES
Forward current: 1.5 A
Reverse voltage: 20 V
Very low forward voltage
Ultra small plastic SMD package
Flat leads: excellent coplanarity and improved thermal
behaviour.
APPLICATIONS
Low voltage rectification
High efficiency DC-DC conversion
Switch mode power supply
Inverse polarity protection
Low power consumption applications.
DESCRIPTION
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA)
Schottky barrier diode with an integrated guard ring for
stress protection, encapsulated in a SOT666 ultra small
SMD plastic package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
cathode
cathode
anode
anode
cathode
cathode
handbook, halfpage
1
2
3
4
5
6
1, 2
5, 6
3, 4
MHC310
Fig.1
Simplified outline (SOT666 and symbol).
Marking code:
F5.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Only valid if pins 3 and 4 are connected in parallel.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
R
I
F
I
FSM
I
FRM
T
stg
T
j
T
amb
continuous reverse voltage
continuous forward current
non-repetitive peak forward current
repetitive peak forward current
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
65
65
20
1.5
10
4.5
+150
150
+125
V
A
A
A
°
C
°
C
°
C
T
s
< 55
°
C
t
p
= 8 ms square wave; note 1
t
p
= 1 ms;
δ
=
≤
0.25
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