參數(shù)資料
型號(hào)： PM200CLA120
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
中文描述： 智能功率模塊扁平性基地型絕緣包裝
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： PM200CLA120
MITSUBISHI <INTELLIGENT POWER MODULES>
PM200CLA120
FLAT-BASE TYPE
INSULATED PACKAGE
Jul. 2005
10
1
10
3
7
5
4
3
2
0
10
2
7
5
4
3
2
0.5
1
1.5
2
3
2.5
V
D
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
10
–
10
0
7
5
4
3
2
10
1
2
3
5
7
10
2
10
–
1
7
5
4
3
2
2
3
5
7
10
3
10
1
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
4
4
t
rr
I
rr
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
Inductive load
10
–
3
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
2 3 57
10
–
2
2 3 57
10
–
1
10
–
5
2 3 57
10
–
4
2 3 57
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
Single Pulse
Per unit base = R
th(j
–
c)Q
= 0.12
°
C/W
10
–
3
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
2 3 57
10
–
2
2 3 57
10
–
1
10
–
5
2 3 57
10
–
4
2 3 57
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
Single Pulse
Per unit base = R
th(j
–
c)F
= 0.20
°
C/W
0
10
20
30
40
50
60
25
0
5
10
15
20
I
D
VS. f
c
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
D
(
CARRIER FREQUENCY f
c
(kHz)
P-side or N-side
V
D
= 15V
T
j
= 25
°
C
C
–
I
C
(
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
DIODE FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
DIODE REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR RECOVERY CURRENT
–
I
C
(A)
R
r
(
μ
s
R
r
(
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT PART)
N
T
t
–
TIME
(s)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi PART)
N
T
t
–
TIME
(s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PM200RSE060 General purpose inverter, servo drives and other motor controls
PM200CSAJ060 Analog IC
PM200DHA060 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
PM200DHA120 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
PM200RLA060 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PM200CS1D060 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM200CSA060 功能描述:MOD IPM 6PAC 600V 200A RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
PM200CSA060_00 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM200CSAJ060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
PM200CSD060 功能描述:MOD IPM 6PAC 600V 200A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊
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