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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PM200CLA120 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
| 中文描述： | 智能功率模塊扁平性基地型絕緣包裝 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | PM200CLA120 |
MIMITSUBISHI <INTELLIGENT POWER MODULES>
PM200CLA120
ININSULATED PACKAGE
Jul. 2005
FLFLAT-BASE TYPE
PM200CLA120
FEATURE
a) Adopting new 5th generation IGBT (CSTBT) chip, which
performance is improved by 1
μ
m fine rule process.
For example, typical V
ce
(sat)=1.9V @Tj=125
°
C
b) I adopt the over-temperature conservation by Tj detection of
CSTBT chip, and error output is possible from all each con-
servation upper and lower arm of IPM.
3
φ
200A, 1200V Current-sense IGBT type inverter
Monolithic gate drive & protection logic
Detection, protection & status indication circuits for, short-
circuit, over-temperature & under-voltage (Fo available from
all arm devices)
Acoustic noise-less 37kW class inverter application
UL Recognized
Yellow Card No.E80276(N)
File No.E80271
APPLICATION
General purpose inverter, servo drives and other motor controls
PACKAGE OUTLINES
Dimensions in mm
3
3
1
1
1
9
8
7
1
2
3
4
5
6
13
14
16
15
17
18
20
19
9.08
21
3-2.54
50
53.75
50
53.75
31.84
3-2.54
3.22
50
21
22
24
23
25
26
28
27
21
3-2.54
31.84
3-2.54
3.22
29
30
32
31
33
34
36
35
21
3-2.54
31.84
3-2.54
3.22
17
12
17
12
17
12
17
12
17
12
17
12
162
172
50
±
0.5
22
6
14
28
22
22
28
50
±
0.5
50
±
0.5
11
8-
φ
5.5
MOUNTING HOLES
6-
φ
2.5
12-M6 NUTS
9
7
5
3.75
(
1
1
1
1
±
0
9
2
1
5
6
24- 0.64
(SCREWING DEPTH)
L
A
B
E
L
(24)
2
17
6
12
8
φ
3
+1.0
–0.5
1. N
2. P
3. N
4. P
5. N
6. P
7. W
8. W
9. V
10. V
11. U
12. U
13. VUPC
14. UPFO
15. UP
16. VUP1
17. VUNC
18. UNFO
19. UN
20. VUN1
21. VVPC
22. VPFO
23. VP
24. VVP1
25. VVNC
26. VNFO
27. VN
28. VVN1
29. VWPC
30. WPFO
31. WP
32. VWP1
33. VWNC
34. WNFO
35. WN
36. VWN1
Terminal code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PM200RSE060 | General purpose inverter, servo drives and other motor controls |
| PM200CSAJ060 | Analog IC |
| PM200DHA060 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| PM200DHA120 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| PM200RLA060 | FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PM200CS1D060 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
| PM200CSA060 | 功能描述:MOD IPM 6PAC 600V 200A RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊 |
| PM200CSA060_00 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE |
| PM200CSAJ060 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| PM200CSD060 | 功能描述:MOD IPM 6PAC 600V 200A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 功率驅(qū)動(dòng)器 系列:Intellimod™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 系列:SPM® 類型:FET 配置:三相反相器 電流:1.8A 電壓:500V 電壓 - 隔離:1500Vrms 封裝/外殼:23-DIP 模塊 |
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