參數(shù)資料
型號： PIC16F883
廠商： Microchip Technology Inc.
英文描述： 28/40/44-Pin, Enhanced Flash-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology
中文描述： 28/40/44-Pin，增強基于閃存的納瓦技術的8位CMOS微控制器
文件頁數(shù)： 246/288頁
文件大?。?/td> 2477K
代理商： PIC16F883
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PIC16F882/883/884/886/887
DS41291D-page 244
Preliminary
2007 Microchip Technology Inc.
17.4
DC Characteristics:
PIC16F882/883/884/886/887
-E (Extended)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C for extended
Param
No.
Device Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Conditions
V
DD
Note
D020E
Power-down Base
Current (I
PD
)
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.05
0.15
0.35
1
2
3
42
85
32
60
120
30
45
75
39
59
98
4.5
5
6
0.30
0.36
9
11
15
28
30
35
65
127
45
78
160
70
90
120
91
117
156
25
30
40
12
16
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
2.0
3.0
5.0
2.0
3.0
5.0
3.0
5.0
2.0
3.0
5.0
2.0
3.0
5.0
2.0
3.0
5.0
2.0
3.0
5.0
3.0
5.0
WDT, BOR, Comparators, V
REF
and
T1OSC disabled
D021E
WDT Current
(1)
D022E
BOR Current
(1)
D023E
Comparator Current
(1)
, both
comparators enabled
D024E
CV
REF
Current
(1)
(high range)
D025E*
CV
REF
Current
(1)
(low range)
D026E
T1OSC Current
(1)
, 32.768 kHz
D027E
A/D Current
(1)
, no conversion in
progress
*
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
The peripheral current is the sum of the base I
DD
or I
PD
and the additional current consumed when this
peripheral is enabled. The peripheral
Δ
current can be determined by subtracting the base I
DD
or I
PD
current from this limit. Max values should be used when calculating total current consumption.
2:
The power-down current in Sleep mode does not depend on the oscillator type. Power-down current is
measured with the part in Sleep mode, with all I/O pins in high-impedance state and tied to V
DD
.
These parameters are characterized but not tested.
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