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參數(shù)資料
| 型號： | PIC12F1840T-I/SN |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 7/122頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU 7KB FLASH 256B RAM XLP 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,300 |
| 系列： | PIC® XLP™ 12F |
| 核心處理器： | PIC |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 32MHz |
| 連通性： | I²C，LIN，SPI，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 5 |
| 程序存儲器容量： | 7KB（4K x 14） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.3 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 4x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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PIC12(L)F1840
DS41441B-page 104
Preliminary
2011 Microchip Technology Inc.
EXAMPLE 11-4:
ERASING ONE ROW OF PROGRAM MEMORY
; This row erase routine assumes the following:
; 1. A valid address within the erase block is loaded in ADDRH:ADDRL
; 2. ADDRH and ADDRL are located in shared data memory 0x70 - 0x7F
BCF
INTCON,GIE
; Disable ints so required sequences will execute properly
BANKSEL
EEADRL
MOVF
ADDRL,W
; Load lower 8 bits of erase address boundary
MOVWF
EEADRL
MOVF
ADDRH,W
; Load upper 6 bits of erase address boundary
MOVWF
EEADRH
BSF
EECON1,EEPGD
; Point to program memory
BCF
EECON1,CFGS
; Not configuration space
BSF
EECON1,FREE
; Specify an erase operation
BSF
EECON1,WREN
; Enable writes
MOVLW
55h
; Start of required sequence to initiate erase
MOVWF
EECON2
; Write 55h
MOVLW
0AAh
;
MOVWF
EECON2
; Write AAh
BSF
EECON1,WR
; Set WR bit to begin erase
NOP
; Any instructions here are ignored as processor
; halts to begin erase sequence
NOP
; Processor will stop here and wait for erase complete.
; after erase processor continues with 3rd instruction
BCF
EECON1,WREN
; Disable writes
BSF
INTCON,GIE
; Enable interrupts
R
equired
S
equence
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