參數(shù)資料
型號： PHX14NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 7.6 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, TO-220, FPAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
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代理商： PHX14NQ20T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHX14NQ20T , PHF14NQ20T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 14 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10
20
30
40
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
VDD = 160 V
VDD = 40 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
10
20
30
0.0
0.2
0.4
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
1.2
1.4
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
150 C
VGS = 0 V
November 2000
6
Rev 1.100
相關PDF資料
PDF描述
PHF14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHX20N06T N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
PHX45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHX4N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4N50E PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N50E
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHX14NQ20T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHX15N06E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Isolated version of PHP20N06E
PHX1881406 制造商:Phoenix Contact 功能描述:
PHX1881590 制造商:Phoenix Contact 功能描述:
PHX1881639 制造商:Phoenix Contact 功能描述:
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