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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHW7N60E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 7 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | PHW7N60E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.20. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.21. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
December 1998
8
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB7N60E | ER 17C 17#16 SKT RECP BOX |
| PHP8.4 | 7,500 & 15,000 Watt TVS Module |
| PHP120 | 15,000 Watt TVS Module(15，000W,鉗位電壓319V，瞬變電壓抑制器模塊) |
| PHP80N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP80N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHW80NQ10T | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 100V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHW80NQ10T,127 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 100V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHW8N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW8ND50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
| PHW9N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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