參數(shù)資料
型號(hào)： PHW7N60E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 7 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： PHW7N60E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E
AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
E
AS
Non-repetitive avalanche
energy
CONDITIONS
Unclamped inductive load, I
= 6.5 A;
t
p
= 0.23 ms; T
j
prior to avalanche = 25C;
V
≤
50 V; R
GS
= 50
; V
GS
= 10 V; refer
to fig:17
MIN.
-
MAX.
583
UNIT
mJ
E
AR
Repetitive avalanche energy
2
I
= 7 A; t
= 2.5
μ
s; T
prior to
-
13
mJ
avalanche = 25C; R
GS
= 50
; V
GS
= 10 V;
refer to fig:18
I
AS
, I
AR
Repetitive and non-repetitive
avalanche current
-
7
A
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance junction
to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction
to ambient
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
0.85
K/W
SOT78 package, in free air
SOT429 package, in free air
SOT404 package, pcb mounted, minimum
footprint
-
-
-
60
45
50
-
-
-
K/W
K/W
K/W
2
pulse width and repetition rate limited by T
j
max.
December 1998
2
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB7N60E ER 17C 17#16 SKT RECP BOX
PHP8.4 7,500 & 15,000 Watt TVS Module
PHP120 15,000 Watt TVS Module(15，000W,鉗位電壓319V，瞬變電壓抑制器模塊)
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PHP80N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
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參數(shù)描述
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