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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP83N06T |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS Standard Level FET |
| 中文描述： | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/13頁(yè) |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | PHP83N06T |
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Philips Semiconductors
PHP83N06T
TrenchMOS Standard Level FET
Product data
Rev. 01 — 11 January 2002
7 of 13
9397 750 09122
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
T
j
(
o
C)
V
GS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
2
4
6
V
GS
(V)
max
typ
min
03ag71
102
103
104
10-1
1
10
102
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
oss
C
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