參數(shù)資料
型號(hào)： PHP10N10E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 11 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： PHP10N10E
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
PHP10N10E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.17. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
September 1997
6
Rev 1.000
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PDF描述
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PHP112N06T N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB112N06T N-channel enhancement mode field-effect transistor
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PHP110NQ06LT 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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