參數(shù)資料
型號： PHP1035
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 8000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： PHP1035
1998 Feb 18
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP1035
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
30
1
TYP.
tbf
tbf
tbf
tbf
MAX.
100
±
100
50
35
UNIT
V
(BR)DSS
V
GSth
I
DSS
I
GSS
R
DSon
drain-source breakdown voltage
gate-source threshold voltage
drain-source leakage current
gate leakage current
drain-source on-state resistance
V
GS
= 0; I
D
=
10
μ
A
V
GS
= V
DS
; I
D
=
1 mA
V
GS
= 0; V
DS
=
24 V
V
GS
=
±
20 V; V
DS
= 0
V
GS
=
4.5 V; I
D
= 2 A
V
GS
=
10 V; I
D
=
4 A
V
GS
= 0; V
DS
=
24 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
=
24 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
=
24 V; f = 1 MHz
V
GS
=
10 V; V
DD
=
15 V;
I
D
=
4 A; T
amb
= 25
°
C
V
DD
=
15 V; I
D
=
4 A;
T
amb
= 25
°
C
V
DD
=
15 V; I
D
=
4 A;
T
amb
= 25
°
C
V
V
nA
nA
m
m
pF
pF
pF
pC
C
iss
C
oss
C
rss
Q
G
input capacitance
output capacitance
reverse transfer capacitance
total gate charge
Q
GS
gate-source charge
tbf
pC
Q
GD
gate-drain charge
tbf
nC
Switching times
t
d(on)
t
f
t
on
t
d(off)
t
r
t
off
turn-on delay time
fall time
turn-on switching time
turn-off delay time
rise time
turn-off switching time
V
GS
= 0 to
10 V; V
DD
=
15 V;
I
D
=
1 A; R
gen
= 6
tbf
tbf
tbf
tbf
tbf
tbf
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
GS
=
10 to 0 V; V
DD
=
15 V;
I
D
=
1 A; R
gen
= 6
Source-drain diode
V
SD
t
rr
source-drain forward voltage
reverse recovery time
V
GD
= 0; I
S
=
1.25 A
I
S
=
1.25 A; di/dt = 100 A/
μ
s
tbf
1.3
V
ns
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PDF描述
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