參數(shù)資料
型號： PHP1025
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 10000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SOT96-1, SMD, SO-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： PHP1025
1998 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Objective specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP1025
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Notes
1.
2.
3.
4.
T
s
is the temperature at the soldering point of the drain lead.
Pulse width and duty cycle limited by maximum junction temperature.
Device mounted on a printed-circuit board with a R
th a-tp
(ambient to tie-point) of 27.5 K/W.
Device mounted on a printed-circuit board with a R
th a-tp
(ambient to tie-point) of 90 K/W.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
12
±
8
10
40
4
2.78
1.16
+150
+150
UNIT
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
drain-source voltage (DC)
gate-source voltage (DC)
drain current (DC)
peak drain current
total power dissipation
55
55
V
V
A
A
W
W
W
°
C
°
C
open drain
T
s
= 80
°
C; note 1
note 2
T
s
= 80
°
C
T
amb
= 25
°
C; note 3
T
amb
= 25
°
C; note 4
T
stg
T
j
storage temperature
operating junction temperature
Source-drain diode
I
S
I
SM
source current (DC)
peak pulsed source current
T
s
= 80
°
C
note 2
3
12
A
A
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
17.5
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP1035 P-channel enhancement mode MOS transistor
PHP10N10E PowerMOS transistor
PHP10N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP10N40 CAP 1000PF 100V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
PHP10N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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PHP10-3,81 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.81mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點(diǎn)電鍍:
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