參數(shù)資料
型號： PHK5NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 5 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： PHK5NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
TM
transistor
PHK5NQ10T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
35
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 5A
Tj = 25 C
VDD = 20 V
VDD = 80 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
150 C
VGS = 0 V
August 1999
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHL2143 Radar Pulsed Power Transistor, 3W, 2ms Pulse, 20% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHL516-10 Wireless Bipolar Power Transistor, 1OW 1.45 - 1.60 GHz
PHM004 Amplifier. Other
PHM021 Amplifier. Other
PHM022 RF AMPLIFIER|SINGLE|MOS|FLANGE MT|PLASTIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHK5NQ15T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8
PHK5NQ15T /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHK5NQ15T,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHK5NQ15T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8
PHKD1 功能描述:電氣外殼配件 RoHS:否 制造商:Hammond Manufacturing 產(chǎn)品:Rack Accessories 類型: 面板寬度: 面板高度: 外部寬度: 外部高度: 外部深度: 顏色:Black
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*