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參數(shù)資料
| 型號： | PHB80N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 75 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | PHB80N06T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB80N06T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
68
UNIT
A
-
-
-
-
-
-
240
1.2
-
-
-
A
V
V
ns
μ
C
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
0.95
1.0
57
0.14
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 65 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
200
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管) |
| PHD87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管) |
| PHP87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管) |
| PHB87N03T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應管) |
| PHB8N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB80N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
| PHB82NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHB83N03LT | 制造商:PHILLIPS COMPONENTS 功能描述: |
| PHB87N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB87N03LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
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