- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369999 > PHB3055E TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-404 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB3055E |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-404 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 12A條（?。﹟采用SOT - 404 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 512K |
| 代理商： | PHB3055E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB30NQ15T | CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
| PHB64N03LT | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| PHB78NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHD78NQ03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB95N03LTA | 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB30NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB32N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB32N06LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB32N06LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB33NQ20T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。