參數(shù)資料
型號： PHB110NQ06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 55 V, 0.0093 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： PHB110NQ06LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB110NQ06LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 04 May 2004
10 of 13
9397 750 13175
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Fig 15. SOT404 (D
2
-PAK).
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.80
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
99-06-25
01-02-12
相關PDF資料
PDF描述
PHP110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB110NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP110NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB222NQ04LT N-channel TrenchMOSTM logic level FET
PHP222NQ04LT N-channel TrenchMOSTM logic level FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHB110NQ06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB110NQ08LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
PHB110NQ08LT,118 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB110NQ08T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS? standard level FET
PHB110NQ08T /T3 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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