參數(shù)資料
型號(hào)： PH2520U
英文描述： TrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： TrenchMOS（TM）超低水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： PH2520U
Philips Semiconductors
PH2520U
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 02 May 2003
9 of 12
9397 750 11406
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
6.
Package outline
Fig 14. SOT669 (LFPAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT669
MO-235
02-07-10
03-02-05
0
2.5
5 mm
scale
e
E1
b
c2
A2
A2
b
c
A
e
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
mm
1.10
0.95
A3
A1
0.15
0.00
1.20
1.01
0.50
0.35
b2
4.41
3.62
0.25
0.19
c2
0.30
0.24
4.10
3.80
6.2
5.8
H
1.3
0.8
L2
0.85
0.40
L
1.3
0.8
L1
8
°
0
°
w
y
D
(1)
5.0
4.8
E
(1)
3.3
3.1
E1
(1)
D1
(1)
max
0.25
4.20
1.27
0.25
0.1
1
2
3
4
mounting
base
D1
c
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version LFPAK); 4 leads
SOT669
E
b2
H
D
L2
L1
A
A
w
M
C
C
X
1/2
e
y C
θ
θ
(A )
3
L
A
A1
detail X
Note
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH270F2 FRD MODULE
PH270F6 FRD MODULE 270A/600V/trr:170nsec
PH2729-110M Radar Pulsed Power Transistor， 110W
PH2729-120M TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | FO-91VAR
PH2729-130M TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 12.5A I(C) | FO-91VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PH2520U,115 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PH2520U 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 20V LFPAK
PH2520U115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 100A 4-SOT-669
PH-25-250-1 制造商:Vishay Dale 功能描述:PH-25-250-1
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