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參數(shù)資料
| 型號： | PH2520U |
| 英文描述： | TrenchMOS (tm) ultra low level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS（TM）超低水平場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | PH2520U |
Philips Semiconductors
PH2520U
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 02 May 2003
8 of 12
9397 750 11406
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 50 A; V
DD
= 10 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
003aaa351
0
10
20
30
40
50
IS
(A)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD (V)
T
j
= 25
°
C
150
°
C
003aaa352
0
1
2
3
4
5
0
25
50
75
100
QG (nC)
VGS
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH270F2 | FRD MODULE |
| PH270F6 | FRD MODULE 270A/600V/trr:170nsec |
| PH2729-110M | Radar Pulsed Power Transistor， 110W |
| PH2729-120M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | FO-91VAR |
| PH2729-130M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 12.5A I(C) | FO-91VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PH2520U,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PH2520U | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 20V LFPAK |
| PH2520U115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 100A 4-SOT-669 |
| PH-25-250-1 | 制造商:Vishay Dale 功能描述:PH-25-250-1 |
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