參數(shù)資料
型號： PH2520U
英文描述： TrenchMOS (tm) ultra low level FET
中文描述： TrenchMOS（TM）超低水平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： PH2520U
Philips Semiconductors
PH2520U
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 02 May 2003
3 of 12
9397 750 11406
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa15
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03aa23
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa345
10-1
1
10
102
103
10-1
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
1 s
10 ms
1 ms
tp = 10
μ
s
100
μ
s
Limit RDSon = VDS/ID
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH270F2 FRD MODULE
PH270F6 FRD MODULE 270A/600V/trr:170nsec
PH2729-110M Radar Pulsed Power Transistor， 110W
PH2729-120M TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | FO-91VAR
PH2729-130M TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 12.5A I(C) | FO-91VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PH2520U,115 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PH2520U 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 20V LFPAK
PH2520U115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 100A 4-SOT-669
PH-25-250-1 制造商:Vishay Dale 功能描述:PH-25-250-1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*