參數資料
型號： PD57006S
廠商： 意法半導體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁數： 7/14頁
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代理商： PD57006S
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PD57006 - PD57006S
TYPICAL PERFORMANCE
Output Power vs. Supply Voltage
Output Power vs. Gate-Source Voltage
Drain Efficiency vs. Supply Voltage
10
12
14
16
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
18
20
22
24
26
28
30
1
2
3
4
5
6
7
8
P
945 MHz
925 MHz
Idq=70 mA
Pin= 22.7 dBm
960 MHz
0
1
VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
P
Vdd=28V
Pin= 22.7 dBm
945 MHz
960 MHz
925 MHz
10
12
14
16
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
18
20
22
24
26
28
30
10
20
30
40
50
60
N
Idq=70 mA
Pin= 22.7 dBm
945 MHz
960 MHz
925 MHz
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PDF描述
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PD57006TR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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