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參數(shù)資料
| 型號： | PD57006S |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 277K |
| 代理商： | PD57006S |
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PD57006 - PD57006S
-25
0
25
50
75
100
Tc, CASE TEMPERATURE (°C)
0.92
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
V
Vds=10 V
Id=.05 A
Id=.2 A
Id=.6 A
Id=1.5 A
Id=1 A
TYPICAL PERFORMANCE
Capacitance vs. Drain Voltage
0
4
8
12
16
20
24
28
VDD, DRAIN VOLTAGE (V)
0.1
1
10
100
C
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
Drain Current vs. Gate-Source Voltage
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
Vds=10 V
Gate-Source Voltage vs. Case Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| PD57006TR-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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