參數(shù)資料
型號(hào)： PD57006S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁(yè)數(shù)： 6/14頁(yè)
文件大?。?/td> 277K
代理商： PD57006S
PD57006 - PD57006S
TYPICAL PERFORMANCE
6/14
Output Power vs. Input Power
PD57006S
0
0.1
0.2
0.3
0.4
Pin, INPUT POWER (W)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
P
Vdd=28V
Idq=70mA
945 MHz
960 MHz
925 MHz
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Pout, OUTPUT POWER (W)
4
6
8
10
12
14
16
18
P
Vdd=28V
Idq=70mA
945 MHz
960 MHz
925 MHz
Power Gain vs. Output Power
Drain Efficiency vs. Output Power
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Pout, OUTPUT POWER (W)
10
20
30
40
50
60
N
Vdd=28V
Idq=70mA
945 MHz
960 MHz
925 MHz
Input Return Loss vs. Output Power
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Pout, OUTPUT POWER (W)
-25
-20
-15
-10
-5
0
R
Vdd=28V
Idq=70mA
945 MHz
960 MHz
925 MHz
Output Power vs. Bias Current
0
100
200
300
400
IDQ, BIAS CURRENT (mA)
0
2
4
6
8
10
P
Vdd=28V
Pin= 22.7 dBm
945 MHz
960 MHz
925 MHz
Drain Efficiency vs. Bias Current
0
100
200
300
400
IDQ, BIAS CURRENT (mA)
10
20
30
40
50
60
N
Vdd=28V
Pin= 22.7 dBm
945 MHz
960 MHz
925 MHz
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PDF描述
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PD57006TR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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