參數(shù)資料
型號(hào)： PC48F4400P0VB00
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 37/102頁(yè)
文件大?。?/td> 1609K
代理商： PC48F4400P0VB00
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
37
R101
t
AVVH
Address setup to ADV# high
10
-
ns
1
R102
t
ELVH
CE# low to ADV# high
10
-
ns
R103
t
VLQV
ADV# low to output valid
Vcc = 1.8 V
– 2.0 V
-
85
ns
Vcc = 1.7 V
– 2.0 V
-
88
R104
t
VLVH
ADV# pulse width low
10
-
ns
R105
t
VHVL
ADV# pulse width high
10
-
ns
R106
t
VHAX
Address hold from ADV# high
9
-
ns
1,4
R108
t
APA
Page address access
-
25
ns
1
R111
t
phvh
RST# high to ADV# high
30
-
ns
Clock Specifications
R200
f
CLK
CLK frequency
-
40
MHz
1,3,6
R201
t
CLK
CLK period
25
-
ns
R202
t
CH/CL
CLK high/low time
5
-
ns
R203
t
FCLK/RCLK
CLK fall/rise time
-
3
ns
Synchronous Specifications
R301
t
AVCH/L
Address setup to CLK
9
-
ns
1
R302
t
VLCH/L
ADV# low setup to CLK
9
-
ns
R303
t
ELCH/L
CE# low setup to CLK
9
-
ns
R304
t
CHQV
/ t
CLQV
CLK to output valid
-
20
ns
R305
t
CHQX
Output hold from CLK
3
-
ns
1,5
R306
t
CHAX
Address hold from CLK
10
-
ns
1,4,5
R307
t
CHTV
CLK to WAIT valid
-
20
ns
1,5
R311
t
CHVL
CLK Valid to ADV# Setup
3
-
ns
1
R312
t
CHTX
WAIT Hold from CLK
3
-
ns
1,5
NOTES:
1.
See
Figure 13, “AC Input/Output Reference Waveform” on page 33
for timing measurements and max allowable input
slew rate.
OE# may be delayed by up to t
ELQV
– t
GLQV
after CE#’s falling edge without impact to t
ELQV
.
Sampled, not 100% tested.
Address hold in synchronous burst mode is t
or t
VHAX
, whichever timing specification is satisfied first.
Applies only to subsequent synchronous reads.
See your local Intel representative for designs requiring higher than 40 MHz synchronous operation.
2.
3.
4.
5.
6.
Table 17.
AC Read Specifications for 256/512-Mbit and 1-Gbit Densities (Sheet 2 of 2)
Num
Symbol
Parameter
Speed
Min
Max
Unit
Notes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC48F0P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F2P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F3P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC4N35VI NPN-Output dc-Input Optocoupler
PC4N35V NPN-Output dc-Input Optocoupler
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC48F4400P0VB00A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
PC48F4400P0VB00B 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
PC48F4400P0VB02E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PC48F4400P0VB02E - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS TBGA
PC48F4400P0VB02F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PC48F4400P0VB02F - Tape and Reel
PC48F4400P0VB0E 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*